Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

FR305

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FR305. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller Dc Components Co.. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 01:25.

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UF5408

UF5408

Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-20...
UF5408
Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C
UF5408
Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C
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BY500-600

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VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-20...
BY500-600
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
BY500-600
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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