Standard- und Gleichrichterdioden

Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. Vorwärtsstrom (AV): 70A. IFSM: 500A. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Konditionierungseinheit: 10. Anzahl der Terminals: 2. Konfiguration: Isoliertes Gehäuse, ohne Bohren. Menge pro Karton: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Standard Rectifier. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.16V. VRRM: 1600V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zentralzweig (Kathode D1, Anode D2, in Reihe)

Trr-Diode (Min.): 75 ns. Verschiedenes: Hochspannungs-Dämpferdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT Horizontal Deflection. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Vorwärtsstrom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Anzahl der Terminals: 2

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Hinweis: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Hinweis: Hochspannungs-Dämpferdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 75A. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1500V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Hinweis: SPEC.SONY DIODA. Hinweis: SONY 871904678

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 30Ap/8.3ms. Hinweis: Hocheffiziente Gleichrichter

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V

Cj: 100pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Diode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Hinweis: Gl, S. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap

Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB / DO214AA. Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC / DO214AB. Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. VRRM: 800V

Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: B29-04.79. VRRM: 400V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Hinweis: GI, S. VRRM: 200V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: 9x7mm. Hinweis: MONITOR DAMP. Hinweis: D09.15. VRRM: 1500V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1G SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage

Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 30A. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--250A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 0.15us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Verlustarmer Super-Hochgeschwindigkeitsgleichrichter. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 80A. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CO23M-15 (C023M-15). Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: ULTRA FAST ->l<-. Hinweis: Ifsm--50A/10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 200V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. Hinweis: GI, S. VRRM: 600V