Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

HER308

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HER308. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.

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Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C
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Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C
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