Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

FUF5406

FUF5406
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FUF5406. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Rectifier. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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UF5408

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UF5408
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 3A
UF5408
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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