NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V - BFS20

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V - BFS20. NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Funktion: „ZF- und VHF-Dick- und Dünnschichtschaltung“. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 25mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code G1p, G1t, G1W. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1*. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Vebo: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Inc.. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 14:25.