NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 250mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.225mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code B2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V

NPN-Transistor, 1A, 120V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Spec info: TO39. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorstrom: 2.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 7A, 60V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V

NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

NPN-Transistor, 8A, 150V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 330V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 12A, 350V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, 700V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: 33 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Kollektorstrom: 9A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Kollektorstrom: 9A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF ( SOT399 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 5.0V. Spec info: Geeignet für die Stromversorgung von SONY-Fernsehern. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 13. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Hinweis: Isolationsspannung 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: TV-HA, hi-res (F). Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: MONITOR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

NPN-Transistor, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: (F). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P(H)IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 145pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V

NPN-Transistor, 12A, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: SOT199 (F). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V