NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.2A, 30 v. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-A. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 200mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BFU590G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 24V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8.5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) BFV421

NPN-Transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-72. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-72. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.6GHz. Funktion: VHF-UHF-A. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Gehäuse: TO-50. Kollektorstrom: 0.025A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Lötung (SMD). C(in): TO-50. CE-Diode: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3.2GHz. Funktion: Breitband-HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Spec info: „Planarer HF-Transistor“

NPN-Transistor, 1A, 100V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF/S. Hinweis: b>70. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1.25A, 50V. Kollektorstrom: 1.25A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 1.07W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, 36V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 7.8W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, 40V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Äquivalente: ISP452. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Spec info: miniPROFET. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AS3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 60 ns. Tr: 25 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code U8. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. C(in): 90pF. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AR4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 1000 ns. Tr: 250 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code AR4. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 250mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code B2

NPN-Transistor, 1A, 120V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Transistortyp: NPN. Spec info: TO39

NPN-Transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorstrom: 2.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 7A, 60V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V

NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

NPN-Transistor, 8A, 150V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 330V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V