NPN-Transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V - BFW92A

NPN-Transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V - BFW92A. NPN-Transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Gehäuse: TO-50. Kollektorstrom: 0.025A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Widerstand B: NINCS. BE-Diode: Hochfrequenz -NPN -Transistor. BE-Widerstand: PCB-Lötung (SMD). C(in): TO-50. CE-Diode: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3.2GHz. Funktion: Breitband-HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Spec info: „Planarer HF-Transistor“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Originalprodukt vom Hersteller Vishay (temic). Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 12:25.