NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1L. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SC-70, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-323. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Spec info: SMD 2G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 22pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CAC. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CAC. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 22pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CDC. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CDC. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), TSSOP6, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP6. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Paar NPN- und PNP-Transistoren. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: M1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP54/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP51-16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 25pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP 5516. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP52-16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP56/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP53-16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: XGs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10k Ohms. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XCs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XCs. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 1V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: EF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Hinweis: >420. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCW60RC. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 125V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-Transistor, AF-Anwendungen und -Umschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 63. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EKs. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX42. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...150°C. VCBO: 125V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: bM. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Audio- und Videoverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BH. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code BH. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Audio- und Videoverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Ic(Impuls): 1.5A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BK. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BK. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX53-10. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V