NPN-Transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BCR533

NPN-Transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BCR533. NPN-Transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10k Ohms. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XCs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XCs. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 10/06/2025, 03:25.