Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V - BC868

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V - BC868
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NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V - BC868. NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 22pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CAC. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CAC. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Nxp, Nexperia. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 17:25.

Technische Dokumentation

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NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Audio- und Videoverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BH. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code BH. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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