NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 80pF. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: für mittlere Leistung und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC161-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Hinweis: ( E,C,B ). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: BC237/25

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC237BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 120V, 0.5A, TO-39. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 120V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 0.85W. Max Frequenz: 120MHz

NPN-Transistor, 60V, 0.5A, TO-39. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 0.85W. Max Frequenz: 120MHz

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 210 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 0.63W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 210 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 0.63W

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 0.63W. Max Frequenz: 100MHz

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Kosten): 40pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 32V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) BC369