Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V - BCP55-16

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NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V - BCP55-16. NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP 5516. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP52-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.

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NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP56/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP53-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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