NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V - BCX41E6327

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V - BCX41E6327. NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 125V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-Transistor, AF-Anwendungen und -Umschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 63. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EKs. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX42. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...150°C. VCBO: 125V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 18:25.