NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA (isoliert). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, 600V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA (isoliert). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V

NPN-Transistor, 3.5A, 600V. Kollektorstrom: 3.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 2A, 700V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 17A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/SL. Hinweis: hFE 100...200. Transistortyp: NPN. Spec info: 2SD1609-C

NPN-Transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123S. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DF. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, 60V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Hinweis: hFE 200...400. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: NPN. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DF, Komplementärtransistor (Paar) 2SB1123T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Ic(Impuls): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DG

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO PCP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Maximaler hFE-Gewinn: 4000. Minimaler hFE-Gewinn: 3000. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DI. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DI, Komplementärtransistor (Paar) 2SB1126. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, 30 v. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Hinweis: hFE 3000...4000. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Transistortyp: NPN. Funktion: Hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Spannungsregelung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DJ

NPN-Transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DK, hFE 120...200

NPN-Transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Id(imp): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DK. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DK

NPN-Transistor, 3.5A, 800V. Kollektorstrom: 3.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 6A, 800V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Bipolartransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DAQ. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: +55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DAQ

NPN-Transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Id(imp): 12A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1135. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Id(imp): 15A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1136. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 2A, 40V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1186A