NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, A21/B, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: A21/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-39, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.68W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 232. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC829. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/35V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, A21/B, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: A21/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V/10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.12W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1000V/500V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 22W

NPN-Transistor, 0.2A, 60V. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 220 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.05A, 50V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.7A, 20V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: lo-sat . Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker, DC-DC-Wandler. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB817. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D1062. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Funktion: Hochgeschwindigkeitswechselrichter, Konverter, Low-Sat. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB826