NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V - 2SD2390-SKN
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.47€ | 6.51€ |
| 2 - 2 | 5.20€ | 6.19€ |
| 3 - 4 | 4.93€ | 5.87€ |
| 5 - 9 | 4.65€ | 5.53€ |
| 10 - 19 | 4.54€ | 5.40€ |
| 20 - 29 | 4.43€ | 5.27€ |
| 30 - 53 | 4.27€ | 5.08€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.47€ | 6.51€ |
| 2 - 2 | 5.20€ | 6.19€ |
| 3 - 4 | 4.93€ | 5.87€ |
| 5 - 9 | 4.65€ | 5.53€ |
| 10 - 19 | 4.54€ | 5.40€ |
| 20 - 29 | 4.43€ | 5.27€ |
| 30 - 53 | 4.27€ | 5.08€ |
NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V - 2SD2390-SKN. NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1560. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 11:25.
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