NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 2A, 100V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: isolierter Pakettransistor. Hinweis: >1000. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1202. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1204

NPN-Transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 5000. Minimaler hFE-Gewinn: 2000. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Spec info: „Epitaxialer planarer Silizium-Darlington-Transistor“

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Farbfernseher mit horizontaler Ablenkung, Ausgangsverstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1274

NPN-Transistor, 4A, 80V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: isolierter Pakettransistor. Minimaler hFE-Gewinn: 3000. Hinweis: =3000. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1342

NPN-Transistor, PCB-Löten, M31/C, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/650V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): 1500V. Betriebstemperaturbereich max (°C): 650V

NPN-Transistor, 10A, 650V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Funktion: S-L TV/HA(F)

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorstrom: 2.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220FP. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3A. Betriebstemperaturbereich min (°C): 30W. Betriebstemperaturbereich max (°C): Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Kollektorstrom: 3.5A. Gehäuse: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 3A, 100V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Io-sat. Hinweis: >500. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, 600V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, 110V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorstrom: 0.3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: IBp=2A

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50MHz. Funktion: Leistungsverstärkung mit hohem Vorwärtsstrom. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: 2.37k Ohms. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1560. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DT. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1561

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2394. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V