NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 5000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1588

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1588

NPN-Transistor, 6A, 110V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Hinweis: >5000. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1625

NPN-Transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, 700V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA Hi-r. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Hinweis: Vce(sat)=5V

NPN-Transistor, 80V, 3A, MT-3-A1. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: MT-3-A1. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 1.5W. Max Frequenz: 50 MHz

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Maximaler hFE-Gewinn: 12000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2589. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 110V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1659

NPN-Transistor, 2A, TO-220, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: 2A. Ic(Impuls): 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Ic(Impuls): 7A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 22W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-1, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-1. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

NPN-Transistor, 0.7A, 25V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Funktion: Allzweck. Hinweis: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD551. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W

NPN-Transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB631K

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-236, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 700mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 2A. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D667. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB647