NPN-Transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V - 2SD2222

NPN-Transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V - 2SD2222. NPN-Transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 11:25.