NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V

NPN-Transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: NPN. Spec info: Ersatz

NPN-Transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: NPN. Spec info: Ersatz

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer Silizium-Darlington-Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB892. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD1279. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 600V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, M37/J, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M37/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W

NPN-Transistor, 8A, 120V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: 2.32k Ohms. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffuser Planar“. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz

NPN-Transistor, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms

NPN-Transistor, PCB-Löten, M46/J, 6A, 600V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M46/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): NPN. Betriebstemperaturbereich max (°C): 1500V

NPN-Transistor, 6A, 600V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, 600V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M31/J, 3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: NPN

NPN-Transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, 600V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M31/J, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: NPN. Betriebstemperaturbereich min (°C): 600V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M37/J, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M37/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W

NPN-Transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, 1500V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. Spec info: isoliert