N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.067 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 1250pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 227W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 4830pF. Kosten): 945pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 248A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2500pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 280A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 85 nC). G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA9N90C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-3P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.91 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 900V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQAF11N90C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.074 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 670pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 62.4A. IDss (min): 1uA. Äquivalente: FQD19N10LTM. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.031 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N06L. Pd (Verlustleistung, max): 44W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.258 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 100V. ID (T=100°C): 3.67A. C(in): 220pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 5.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQD7N10L. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP12N60C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 70 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 280 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 225W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1800pF. Kosten): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 195W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.078 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 600pF. Kosten): 165pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 78 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 19A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 76A. Pd (Verlustleistung, max): 139W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, td(on)15ns, td(off)135ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET)

N-Kanal-Transistor, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1150pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 127W. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Kosten): 425pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 98 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 174A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 146W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.033 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 2500pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 182A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 210W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06L. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1630pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 121W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Verstärkungsmodus-Leistungsfeldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1420pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 45 nC, niedriger CrSS 14 pF

N-Kanal-Transistor, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 9.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 38A. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 20 nC, niedriger CrSS 40,5 pF