N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 19m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 475pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V

N-Kanal-Transistor, 5.4A, SO, SO-8. ID (T=100°C): 5.4A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 2. Trr-Diode (Min.): 15 ns. Funktion: Rds-on 0.030 Ohms. G-S-Schutz: NINCS. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 25V, 0.22A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 301. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 301. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9.5pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 303. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. C(in): 2915pF. Kosten): 270pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 47ms. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2-PAK. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 940pF. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißgerät, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Hinweis: N-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGB20N60SF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2110pF. Kosten): 200pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH40N60SFD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1880pF. Kosten): 180pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 349W. RoHS: ja. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2110pF. Kosten): 200pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2820pF. Kosten): 350pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SFD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 378W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2820pF. Kosten): 350pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 378W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2915pF. Kosten): 270pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SMD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 25A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1.45pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 39A. Ic(Impuls): 50A. Hinweis: 7x IGBT+ CE Diode. Anzahl der Terminals: 33dB. Abmessungen: 56.7x48x12mm. Pd (Verlustleistung, max): 175W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: IGBT-Hybridmodul. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V

N-Kanal-Transistor, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 730 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA10N80C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 240W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-3PN, 900V, 11A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA11N90C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-3PN, 900V, 11A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA11N90C_F109. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-3PN, 900V, 11.4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA 11N90. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 340 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.43 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 218W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-3PN, 800V, 12.6A, 1, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 800V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA13N80. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 320 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 74A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.156 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3500pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4200pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 94A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.067 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 1250pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 227W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 4830pF. Kosten): 945pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 248A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2500pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 280A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 85 nC). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V