Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80C

N-Kanal-Transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80C
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N-Kanal-Transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80C. N-Kanal-Transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.

Technische Dokumentation

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