N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1 - FQP12N60C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1 - FQP12N60C. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP12N60C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 70 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 280 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 225W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.