N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 35A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Pd (Verlustleistung, max): 255W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh II

N-Kanal-Transistor, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 43NM60ND. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 255W. RoHS: ja. Spec info: Niedriger Gate-Eingangswiderstand. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 417W. RoHS: ja. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 22.4A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 1154pF. Kosten): 106pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 605 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 14A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W5NK100Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W7NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W9NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 15A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 30 v, 75A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SUP75N03-04. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 190 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 10742pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 187W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Netzteil, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3FS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 430V. C(in): 5500pF. Kosten): 100pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Verschiedenes: Blitz, Stroboskopsteuerung. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Germaniumdiode: Suppressor. Kollektorstrom: 240A. Ic(Impuls): 240A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Technologie: Enhancement type. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 33V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

N-Kanal-Transistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K20J50D. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Feldeffekt-POWER-MOS-Typ (MOSVII). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K6A60D. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Schaltspannungsregler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 28A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TK7P60W. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V

N-Kanal-Transistor, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10U1B. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 30Ap. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K8A65D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v

N-Kanal-Transistor, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 0.3A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 240V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: 9.31k Ohms

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7150pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6435pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4456pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5022pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 56 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 78 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6253pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 20V, -6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 0.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 562pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. IDSS (max): 0.47A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: V-MOS