N-Kanal-Transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FQP13N10

N-Kanal-Transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FQP13N10. N-Kanal-Transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.