N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 2.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: MOS-N-FET. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

N-Kanal-Transistor, 20mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 20mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: VHF/RF-Verstärker. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxial. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. IDSS (max): 9mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. IDSS (max): 16mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. C(in): 2250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 53 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 4mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. IDSS (max): 5mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. C(in): 5pF. Kosten): 2pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: J-FET. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: VHF/UHF, HF-Verstärker

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-46, 20V, 10mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-46. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 10mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6550. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): O-92Ammo-Pack. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Kleinsignal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 702. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.210A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K72. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 2.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.37W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 22pF. Kosten): 11pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K72. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 400mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Motorsteuerung, Energiemanagement. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.115A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 72. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220D-A1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. C(in): 580pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Funktion: Plasma-Display-Treiber. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220D-A1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 540V. C(in): 1200pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 230A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 20mA. IDSS: 2.5mA. IDSS (max): 2.5mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. IDss (min): 2.5mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Funktion: HF-Verstärkung

N-Kanal-Transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V, 8A, 300uA, 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 1000V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(in): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendung. Gewicht: 4.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 80A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 30A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W

N-Kanal-Transistor, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 900V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(in): 1400pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 500V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K1246. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-3PN 13-16A1A. Spannung Vds(max): 1400V. C(in): 1800pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochspannungsschalten. Id(imp): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 240W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.5V. Drain-Source-Schutz: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 30A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Spec info: Logic Level kompatibel