N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.31 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1495pF. Kosten): 235pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 490 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDA16N50. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 205W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 2280pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDA24N40F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-3P, 500V, 48A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDA50N50. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 220 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 460 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 3090pF. Kosten): 630pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 392W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.034 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 3570pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0087 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 100A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SUPERSOT-6. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDD5690. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1110pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0088 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 59A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD6635. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 55W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 8.2M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5070pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 61m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 150V. C(in): 575pF. Kosten): 64pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56.4 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Hinweis: High performance trench technology. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 56.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extrem niedriger RDS(on)-Widerstand. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.085 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD8447L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 44W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 880pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 45A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDH45N50F. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 215 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6630pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 7.5A. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): Power-56-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Dual-N-Kanal-MOSFET-Transistor, 30V, „PowerTrench MOSFET“. Menge pro Karton: 2. Funktion: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

N-Kanal-Transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 72A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 79A. Leistung: 310W. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2880pF. Kosten): 3990pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 62 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.46 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 945pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 46A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 23 nC), niedriger CrSS 14 pF. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.15 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 480pF. Kosten): 66pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 11 nC), niedriger Crss 5 pF. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 720pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 12 nC), niedriger CrSS 9 pF. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 13A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS6670A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2220pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C