Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86€ | 2.21€ |
5 - 9 | 1.76€ | 2.09€ |
10 - 24 | 1.67€ | 1.99€ |
25 - 49 | 1.58€ | 1.88€ |
50 - 99 | 1.54€ | 1.83€ |
100 - 111 | 1.39€ | 1.65€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86€ | 2.21€ |
5 - 9 | 1.76€ | 2.09€ |
10 - 24 | 1.67€ | 1.99€ |
25 - 49 | 1.58€ | 1.88€ |
50 - 99 | 1.54€ | 1.83€ |
100 - 111 | 1.39€ | 1.65€ |
IRF1010E. C(in): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, extrem niedriger Einschaltwiderstand. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 20:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.