Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRF1010E

N-Kanal-Transistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRF1010E
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N-Kanal-Transistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRF1010E. N-Kanal-Transistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, extrem niedriger Einschaltwiderstand. Id(imp): 330A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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