IRF3710S

IRF3710S. C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.