IRF3710

IRF3710. C(in): 3230pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 23m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.