Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF1010N

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IRF1010N. C(in): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Verwendet für: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, extrem niedriger Einschaltwiderstand. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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