IRFP2907

IRFP2907. C(in): 13000pF. Kosten): 2100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 470W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.