IRFP150N

IRFP150N. C(in): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.