Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - KSA928A-Y

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - KSA928A-Y
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NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - KSA928A-Y. NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.

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STB1277Y

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NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut...
STB1277Y
NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Verstärker mittlerer Leistung. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STD1862
STB1277Y
NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Verstärker mittlerer Leistung. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STD1862
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