Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

KSA733-Y

KSA733-Y
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 9 0.42€ 0.50€
10 - 24 0.40€ 0.48€
25 - 49 0.38€ 0.45€
50 - 99 0.36€ 0.43€
100 - 249 0.35€ 0.42€
250 - 499 0.34€ 0.40€
500+ 0.33€ 0.39€
Menge U.P
1 - 9 0.42€ 0.50€
10 - 24 0.40€ 0.48€
25 - 49 0.38€ 0.45€
50 - 99 0.36€ 0.43€
100 - 249 0.35€ 0.42€
250 - 499 0.34€ 0.40€
500+ 0.33€ 0.39€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Ausverkauft
Set mit 1

KSA733-Y. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Kollektorstrom: 0.15A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

Gleichwertige Produkte :

Menge auf Lager : 913
BC212B

BC212B

Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Darli...
BC212B
Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC212B
Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Set mit 10
0.79€ inkl. MwSt
(0.66€ exkl. MwSt)
0.79€
Menge auf Lager : 1168
2SA733

2SA733

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Ge...
2SA733
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V
2SA733
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V
Set mit 10
1.64€ inkl. MwSt
(1.38€ exkl. MwSt)
1.64€

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.