Transistoren

C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR024N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR024N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 180pF. Kosten): 80pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 17A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFR110PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1300pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 107W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+155°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR1205. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR1205N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR220N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. IDSS (max): 3.1A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 400V

C(in): 2030pF. Kosten): 470pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 43 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2330pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, extrem niedrige Gate-Impedanz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 640pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 27A. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 55V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 71ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFR5305. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 650pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (Verlustleistung, max): 57W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFR9014PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 270pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR9024N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR9024N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFR9024PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 5.6A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 100V