Transistoren

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 520A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS: 0.1mA. IDSS (max): 130A. Pd (Verlustleistung, max): 520W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V

C(in): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. IDSS: 250uA. IDSS (max): 72A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V. Hinweis: Hochfrequenz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: IRFP4710PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 72A. Leistung: 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V

C(in): 1070pF. Kosten): 6040pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 580W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP90N20DPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 580W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 580W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250mA. IDss (min): 25mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP9140NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP9140PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) IRFP240. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP9240PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 88 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2100pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA-. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 33 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFPC50PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 88 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3900pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1900pF. Kosten): 470pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: schnelle Umschaltung, ORION TV. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFPE40PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3100pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 31A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 7.8A. Leistung: 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-247AC HV. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: <63/214ns. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 4.7A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS L. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 900V

C(in): 2900pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFPF50PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 6.1A. Leistung: 190W. Gehäuse: TO-247AC. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 1000V

C(in): 5579pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: 17.4k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPER247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 17.4k Ohms. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFPS37N50APBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5580pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 446W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C