IRFR9014

IRFR9014. C(in): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 08:25.