IRFR3709Z

IRFR3709Z. C(in): 2330pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, extrem niedrige Gate-Impedanz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 08:25.