IRFR5305

IRFR5305. C(in): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 71ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFR5305. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.