Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFR9024. C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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