IRFR3910

IRFR3910. C(in): 640pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 08:25.