Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF540N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1960pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRF540NSPBF. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F540NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1960pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F540NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1960pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF540PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1770pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 21 milliOhms. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, <0,021 Ohm. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VGS @10V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 3.3A. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.16 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF610PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 260pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF620PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 260pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 860pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 72W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: N-Channel MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 575pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 8.1A. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.348 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 250V. Menge pro Karton: 1

C(in): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 167 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F640NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 18A. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V

C(in): 1300pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 5.7A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Technologie: DirectFET POWER MOSFET. Spannung Vds(max): 100V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: isometrisch