Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF610B

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IRF610B. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VGS @10V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 3.3A. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.16 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 08:25.

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C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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