IRF540NS

IRF540NS. C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRF540NSPBF. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 20:25.