Transistoren

C(in): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7101. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 320pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 50V. ID (T=25°C): 3A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 50V. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7103. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: 2xP-CH 20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Herstellerkennzeichnung: F7104. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Menge pro Karton: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: TO-220AB. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF710PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 170pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7201. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 550pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7204. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 870pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF720PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 410pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7233. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7233. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7301. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 660pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: 0.05R. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7303. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 520pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7304. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 610pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7306. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET-Leistungs-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7309. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 520/440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF730PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 38 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Funktion: N-MOSFET-Transistor. Äquivalente: IRF7313PBF. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2