Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF634

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IRF634. C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 07:25.

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C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET-Transistor. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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