Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF620

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IRF620. C(in): 260pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JED...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
IRF630
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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