Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640

N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640
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N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640. N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 06:25.

Technische Dokumentation

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