Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF640. C(in): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 167 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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